電力二極管(Power Diode)在20世紀50年代初期就獲得應用,當時也被稱為半導體整流器;它的基本結構和工作原理與信息電子電路中的二極管是一樣的,都以半導體PN結為基礎,實現(xiàn)正向導通、反向截止的功能;電力二極管是不可控器件,其導通和關斷完全是由其在主電路中承受的電壓和電流決定的。
電力二極管實際上是由一個面積較大的PN結和兩端引線以及封裝組成的,從外形上看,主要有螺栓型和平板型兩種封裝。
重要類型
其主要類型有普通二極管、快恢復二極管、肖特基二極管。
普通二極管
普通二極管(General Purpose Diode)又稱整流二極管(Rectifier Diode),多用于開關頻率不高(1kHz以下)的整流電路中。
快速恢復二極管
恢復過程很短特別是反向恢復過程很短(5μs以下)[1]的二極管,也簡稱快速二極管。 工藝上多采用了摻金措施,結構上有的采用PN結構類型,也有的采用對此加以改進的PiN結構。
肖特基二極管
以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管稱為肖特基勢壘二極管(Schottky Barrier Diode--SBD),簡稱為肖特基二極管。肖特基二極管的優(yōu)點在于:反向恢復時間很短(10~40ns),正向恢復過程中也不會有明顯的電壓過沖;在反向耐壓較低的情況下其正向壓降也很小,明顯低于快恢復二極管。因此,其開關損耗和正向導通損耗都比快速二極管還要小,效率高。肖特基二極管的弱點在于: 當反向耐壓提高時其正向壓降也會高得不能滿足要求,因此多用于200V以下的低壓場合;反向漏電流較大且對溫度敏感,因此反向穩(wěn)態(tài)損耗不能忽略,而且必須更嚴格地限制其工作溫度。
內(nèi)容來自百科網(wǎng)