半導(dǎo)體材料

電阻率介于金屬導(dǎo)體（10-5～10-6Ω·cm）和絕緣體(1010～1015Ω·cm)之間的材料。材料的性能可通過提純、摻雜和改變深能級缺陷等方法加以控制。半導(dǎo)體材料通常為單晶材料。半導(dǎo)體多晶材料和非晶材料以及用激光退火形成的再結(jié)晶材 ......（本文共 1182 字 ）     [閱讀本文] >>