半導(dǎo)體核嬗變摻雜

用一定能量的中子、帶電粒子或γ射線等照射材料，通過選擇的核反應(yīng)在基體中生成原來不存在的新元素，達(dá)到半導(dǎo)體材料的摻雜目的。目前，只有中子嬗變摻雜(NDT)得到了實(shí)際應(yīng)用。此方法的原理是K.拉克－霍羅維茨于1951年提出的 ......（本文共 581 字 ）     [閱讀本文] >>