陣列基板柵極制程的Cu腐蝕研究

摘要： 在大尺寸液晶顯示器的薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡(jiǎn)稱TFT)TFT工藝技術(shù)中,Cu正逐步取代Al作為電極材料。與Al電極制程相比,在進(jìn)行柵極(Gate)制程時(shí)Cu容易發(fā)生腐蝕,這會(huì)降低產(chǎn)品良率。本文結(jié)合ADS(Advanced Super Demension Switch)顯示模式下0+4掩膜板(mask)技術(shù)的Gate刻蝕制程和1+4掩膜版技術(shù)Gate光刻膠(Photo Resist,簡(jiǎn)稱PR)剝離制程的Cu腐蝕現(xiàn)象進(jìn)行分析,結(jié)合實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,確定Cu腐蝕原因,最終提出改善方案。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:0+4mask技術(shù)的Gate制程中,ITO刻蝕液所含的HNO3會(huì)使MoNb/Cu結(jié)構(gòu)電極的Cu發(fā)生電化學(xué)腐蝕;將電極結(jié)構(gòu)更改為單Cu層則可以避免電化學(xué)腐蝕。在1+4mask技術(shù)的PR剝離(Strip)制程中,基板經(jīng)歷的剝離時(shí)間長(zhǎng)或進(jìn)行多次剝離或在剝離設(shè)備中停留,均會(huì)引起Cu腐蝕;增加剝離區(qū)間與水區(qū)間空氣簾(Air Curtain)吹氣量、增加TFT基板在過渡區(qū)間(H2O與剝離液接觸的區(qū)間)的傳輸速度,管控剝離液使用時(shí)間等措施可以緩解Cu腐蝕。 （共8頁）