基于橫向熱流抑制的半導體激光芯片封裝實驗研究

摘要： 為降低半導體激光芯片的慢軸遠場發(fā)散角,提高其慢軸方向的光束質量,設計了橫向熱流抑制的封裝結構。
利用熱沉間的物理隔離,削弱了半導體激光芯片慢軸方向上的溫度梯度,有效降低了半導體激光芯片慢軸方向的發(fā)散角。
采用熱分析模擬了不同封裝結構下芯片發(fā)光區(qū)的溫度分布,并對波長915 nm的窄條寬半導體激光芯片進行封裝。 （共5頁）