808 nm半導(dǎo)體激光芯片波導(dǎo)優(yōu)化與效率特性分析
發(fā)光學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù)： 9 2021-07-15
摘要： 對(duì)808 nm的InAlGaAs/AlGaAs半導(dǎo)體激光器芯片的波導(dǎo)厚度進(jìn)行了優(yōu)化,研究發(fā)現(xiàn)N波導(dǎo)與P波導(dǎo)厚度比值為1.8時(shí)芯片電光轉(zhuǎn)換效率最高。
基于上述高效率芯片研制出Chip-on-submount(COS)單管和光纖芯徑62.5μm、數(shù)值孔徑0.22的光纖耦合模塊,并研究了兩種器件在-10～90℃范圍內(nèi)的效率特性。 （共9頁(yè)）
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