10 W級(jí)主控振蕩放大半導(dǎo)體激光芯片封裝實(shí)驗(yàn)研究
強(qiáng)激光與粒子束
頁(yè)數(shù)： 5 2023-04-03
摘要： 結(jié)溫升高是影響主控振蕩放大(MOPA)半導(dǎo)體激光芯片輸出功率的重要因素，為解決MOPA芯片的多電極封裝和高效散熱問(wèn)題，提出了一種正裝和熱擴(kuò)散輔助次熱沉相結(jié)合的封裝結(jié)構(gòu)。建立了該封裝結(jié)構(gòu)的3D熱模型，對(duì)比研究了倒裝封裝結(jié)構(gòu)、正裝無(wú)輔助次熱沉結(jié)構(gòu)與正裝有輔助次熱沉結(jié)構(gòu)對(duì)MOPA半導(dǎo)體激光器結(jié)溫的影響。計(jì)算結(jié)果表明，采用正裝有輔助次熱沉結(jié)構(gòu)與倒裝封裝結(jié)構(gòu)散熱性能接近，且顯著優(yōu)于正裝無(wú)... （共5頁(yè)）
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