薄膜鈮酸鋰片上倒裝激光芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與優(yōu)化

摘要： 基于薄膜鈮酸鋰干法刻蝕工藝不能獲得高垂直度截面的特點(diǎn)，設(shè)計(jì)了一種基于折射率相近的填充材料作為模斑轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)。所設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)可兼容不同尺寸的輸出光斑且整體結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換效率大于-0.28 dB。所提方案避免了薄膜鈮酸鋰干法刻蝕后的大傾角斷面直接作為耦合端面時(shí)性能低的劣勢(shì)，可提升薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器件在片上集成激光芯片的性能。三維模擬結(jié)果顯示該結(jié)構(gòu)對(duì)工藝誤差不敏感、加工可行性高，為減小集成器... （共8頁(yè)）