SiC探測器的中子和γ性能測試

摘要： 第三代SiC半導(dǎo)體探測器具有體積小、響應(yīng)時間快、中子/伽馬（n/γ）甄別容易等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于反應(yīng)堆堆芯劑量監(jiān)測。本文針對自研的第三代Si C半導(dǎo)體探測器，采用電子束蒸發(fā)真空鍍膜的技術(shù)將中子轉(zhuǎn)換層材料6LiF(6Li豐度為95%)噴鍍到SiC基底上，厚度為25μm，實現(xiàn)了中子轉(zhuǎn)換層厚度優(yōu)化。利用241Am α放射源（活度9.37×10~3 Bq）開展α粒子響應(yīng)信號幅度的測量，并... （共6頁）