ITER氦冷固態(tài)實(shí)驗(yàn)包層模塊第一壁氫同位素雙向輸運(yùn)數(shù)值分析

摘要： 氦冷固態(tài)實(shí)驗(yàn)包層模塊(HCCB-TBM)安裝于國(guó)際熱核聚變實(shí)驗(yàn)堆(ITER)中，用以驗(yàn)證HCCB包層概念的氚增殖能力與熱移出能力。HCCB-TBM第一壁用于承受堆芯等離子體粒子轟擊和包容內(nèi)部功能材料。外側(cè)等離子體驅(qū)動(dòng)氘、氚粒子滲透與內(nèi)側(cè)氫分壓驅(qū)動(dòng)滲透的同時(shí)存在，形成了第一壁的雙向氫同位素輸運(yùn)。此雙向輸運(yùn)可能對(duì)第一壁外表面再循環(huán)系數(shù)、包層增殖氚的純化產(chǎn)生重要影響?；谏虡I(yè)軟件CO... （共6頁）