一種p-GaN HEMTs柵電荷表征方法

摘要： 與Si基金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFETs)的絕緣柵結(jié)構(gòu)不同，p-GaN增強型高電子遷移率晶體管(HEMTs)的柵極結(jié)構(gòu)為pn結(jié)，其在較大正向電壓下處于導(dǎo)通狀態(tài)，漏電導(dǎo)較大。傳統(tǒng)柵電荷測試方法假設(shè)柵極注入電流全部存儲為柵電荷，因此不適用于p-GaN HEMTs器件，否則會嚴重高估數(shù)值。鑒于此，基于柵電荷積累的基本過程，提出了利用動態(tài)電容法來減小漏電流影響來提取p-... （共5頁）