一種考慮復(fù)合電流的SiC LBJT行為模型改進

摘要： 介紹了一種考慮基區(qū)SiC/SiO₂界面處復(fù)合電流的SiC LBJT改進模型。分析了橫向碳化硅雙極結(jié)型晶體管與其垂直結(jié)構(gòu)之間的區(qū)別，將橫向BJT的外延層和半絕緣機構(gòu)等效為襯底電容。再引入一個平行于SiC BJT基極結(jié)的附加二極管來描述復(fù)合電流，以垂直SiC BJT的SGP模型為基礎(chǔ)建立SiC LBJT行為模型。校準了LBJT模型的基區(qū)渡越時間，模型與實際器件的開關(guān)特性接近吻合。... （共6頁）