非對(duì)稱電阻場板場效應(yīng)器件擊穿特性仿真分析

摘要： 利用TCAD仿真研究一種二維緊耦合電阻場板電流調(diào)制原理下的物理模型與最優(yōu)化結(jié)構(gòu)。通過優(yōu)化關(guān)鍵工藝與材料參數(shù)，改善器件漂移區(qū)尖峰電場，最終在相同漂移區(qū)摻雜下?lián)舸╇妷狠^一維PN結(jié)理論擊穿電壓提升273%,相同歸一化擊穿電壓10%變化范圍下，漂移區(qū)電荷變化允許冗余范圍比現(xiàn)有傳統(tǒng)PN超結(jié)拓寬15倍。相較于對(duì)稱電阻場板場效應(yīng)器件，在現(xiàn)有工藝下非對(duì)稱優(yōu)化電阻場板場效應(yīng)器件能夠更好的實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)... （共5頁）