p-GaN HEMT強(qiáng)電磁脈沖損傷效應(yīng)與防護(hù)設(shè)計(jì)研究

摘要： 如今，惡劣的電磁環(huán)境已經(jīng)對(duì)電子系統(tǒng)的安全構(gòu)成了嚴(yán)重威脅。氮化鎵基高電子遷移率晶體管的優(yōu)異性能使其更加適合于高功率，高頻應(yīng)用領(lǐng)域。隨著晶體外延材料質(zhì)量的不斷提高和器件工藝的改進(jìn)，氮化鎵器件向高功率和小型化方向快速發(fā)展，器件的可靠性和穩(wěn)定性受到巨大挑戰(zhàn)。深入研究了增強(qiáng)型氮化鎵高電子遷移率晶體管的強(qiáng)電磁脈沖損傷效應(yīng)，通過分析器件內(nèi)部多物理量分布的變化，探究其失效機(jī)理。研究結(jié)果表明，強(qiáng)... （共10頁(yè)）