大功率射頻Si-VDMOS功率晶體管研制
現(xiàn)代雷達(dá)
頁數(shù): 5 2022-09-05
摘要: 介紹了大功率射頻硅-垂直雙擴散金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(Si-VDMOS)的研制結(jié)果,采用柵分離降低反饋電容技術(shù)、多子胞降低源極電感技術(shù)等,從芯片原理著手,比較分析兩種芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計對反饋電容的影響,以及兩種布局引線對源極電感的影響,并研制出了百瓦級以上大功率射頻Si-VDMOS功率晶體管系列產(chǎn)品。產(chǎn)品主要性能如下:在工作電壓28 V及連續(xù)波下,采用8胞合成時,225 MHz輸出功... (共5頁)