C波段橫向激勵薄膜體聲波諧振器設計與制備

摘要： 針對未來移動通信對射頻前端器件提出的多頻率、高集成新要求，開展了兼具聲表面波(SAW)諧振器和薄膜體聲波諧振器(FBAR)技術特點的新型橫向激勵蘭姆波諧振器研究。該文介紹了基于c軸擇優(yōu)取向氮化鋁(AlN)壓電薄膜的C波段橫向激勵薄膜體聲波諧振器(XBAR)的結構設計、參數(shù)優(yōu)化和制備方法，并進行了工藝驗證。通過剝離和刻蝕等步驟制備了諧振頻率4.464 GHz、品質因數(shù)3 039、... （共5頁）