高遷移率金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的研究進(jìn)展
液晶與顯示
頁(yè)數(shù): 19 2024-04-15
摘要: 基于金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)的薄膜晶體管(TFT)由于較高的場(chǎng)效應(yīng)遷移率(μ_(FE))、極低的關(guān)斷漏電流和大面積電性均勻等特點(diǎn),已成為助推平板顯示或柔性顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。經(jīng)過(guò)30余年的研究,非晶銦鎵鋅氧化物(a-IGZO)率先替代非晶硅(a-Si)在TFT中得到推廣應(yīng)用。然而,為了同時(shí)滿足顯示產(chǎn)業(yè)對(duì)更高生產(chǎn)效益、更佳顯示性能(如高分辨率、高刷新率等)和更低功耗等多... (共19頁(yè))