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Ⅰ型倍增層對異質(zhì)SAM結(jié)構(gòu)InSb-APD紅外探測器性能的影響

應(yīng)用光學(xué) 頁數(shù): 6 2024-05-15
摘要: 紅外探測器的光電特性會(huì)受到內(nèi)部結(jié)構(gòu)倍增層參數(shù)的影響,為了能夠改善器件的雪崩效應(yīng),借助仿真軟件Silvaco-TCAD,詳細(xì)探討了Ⅰ型倍增層的殘余摻雜濃度和厚度對異質(zhì)SAM結(jié)構(gòu)ⅠnSb-APD紅外探測器性能的影響。研究結(jié)果表明,隨著Ⅰ型倍增層摻雜濃度的增加,其倍增層內(nèi)的電場強(qiáng)度峰值增加,同時(shí)光響應(yīng)度略微增加;隨著Ⅰ型倍增層厚度的增加,其倍增層的光響應(yīng)度與暗電流密度升高,同時(shí)電場強(qiáng)... (共6頁)

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