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基于硅通孔的三維微系統(tǒng)互聯(lián)結(jié)構(gòu)總劑量效應(yīng)損傷機(jī)制研究

原子能科學(xué)技術(shù) 頁數(shù): 8 2024-06-18
摘要: 垂直硅通孔(TSV)作為三維集成微系統(tǒng)的核心技術(shù)之一,可以通過多個平面層器件的垂直堆疊有效降低互聯(lián)延遲,提高集成密度,減少芯片功耗。利用60Co γ射線實驗裝置,以自主設(shè)計的基于TSV的三維互聯(lián)結(jié)構(gòu)作為實驗對象,進(jìn)行了總劑量效應(yīng)敏感性分析。實驗發(fā)現(xiàn),隨著累積輻照劑量的增加,TSV信號通道的插入損耗(S21)減小,回波損耗(S11)增大,信號傳輸效率不斷降低。結(jié)... (共8頁)

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