壓接型IGBT芯片的參數(shù)分散性對其并聯(lián)時關(guān)斷均流的影響

摘要： 壓接型絕緣柵雙極晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的多芯片并聯(lián)關(guān)斷期間會出現(xiàn)嚴重的不均流現(xiàn)象，直接影響到器件的關(guān)斷可靠性。文中重點研究壓接型IGBT芯片參數(shù)對其并聯(lián)時關(guān)斷均流的影響，首先，根據(jù)IGBT單芯片的關(guān)斷機理和波形，分析芯片參數(shù)對IGBT單芯片關(guān)斷各個階段內(nèi)集電極電流變化的影響規(guī)律；其次，定義多芯片并聯(lián)關(guān)斷波形中出現(xiàn)的... （共12頁）