寬禁帶半導(dǎo)體器件開(kāi)關(guān)振蕩研究綜述

摘要： 寬禁帶半導(dǎo)體器件具有高頻、高效率、高功率密度等優(yōu)點(diǎn)。然而，低寄生電容、低閾值電壓和快速開(kāi)關(guān)等特性也使它們更容易受到開(kāi)關(guān)振蕩的影響。該文綜述開(kāi)關(guān)振蕩的類(lèi)型、產(chǎn)生機(jī)理、敏感參數(shù)以及抑制方法。首先，依據(jù)波形特征將振蕩分為阻尼振蕩及自持振蕩兩類(lèi)；其次，建立開(kāi)關(guān)振蕩分析模型，包括器件模型和開(kāi)關(guān)電路模型，依托該模型研究?jī)煞N振蕩的機(jī)理、敏感參數(shù)以及各敏感參數(shù)對(duì)振蕩特性的影響規(guī)律；再次，分析兩... （共23頁(yè)）