功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計綜述
中國電機工程學(xué)報
頁數(shù): 27 2023-04-13
摘要: 半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步使得芯片的尺寸得以不斷縮小,倒逼著封裝技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步,也由此產(chǎn)生了各種各樣的封裝形式。當(dāng)前功率器件的設(shè)計和發(fā)展具有低電感、高散熱和高絕緣能力的屬性特征,器件封裝上呈現(xiàn)出模塊化、多功能化和體積緊湊化的發(fā)展趨勢。為實現(xiàn)封裝器件低電感設(shè)計,器件封裝結(jié)構(gòu)更加緊湊,而芯片電壓等級和封裝模塊的功率密度持續(xù)提高,給封裝絕緣和器件散熱帶來挑戰(zhàn)。在有限的封裝空間內(nèi),如何把芯片的... (共27頁)