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磁控濺射源中氬輝光放電的等離子體行為及分布特性

真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào) 頁數(shù): 8 2024-03-20
摘要: 通過三維粒子數(shù)值模型對現(xiàn)有磁控濺射源結(jié)構(gòu)中氬輝光放電的等離子體行為和分布特征進(jìn)行了模擬,從而得到靶材利用率和能量利用率的信息。離子軌跡、離子能量和離子入射角分布的分析結(jié)果表明,由于電勢的空間分布影響,放電電壓從260 V增加到340 V,使得轟擊離子比例從80%降低到67%。由于離子向靶材移動(dòng)和遠(yuǎn)離靶材都會(huì)得到加速,過高的放電電壓不利于提高能量利用率。另一方面,提高放電電壓有利... (共8頁)

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