等離子體增強(qiáng)原子層沉積二氧化硅對(duì)多晶硅的損傷機(jī)理及防范工藝研究
真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù)： 7 2024-04-20
摘要： 文章通過(guò)電子束檢測(cè)（EBI）手段研究了等離子體增強(qiáng)原子層沉積（PEALD） SiO
2過(guò)程中硅烷基酰胺類前驅(qū)體副產(chǎn)物對(duì)多晶硅產(chǎn)生不可逆損傷的機(jī)理。提出用單胺基硅烷基酰胺替代多胺基硅烷基酰胺作為前驅(qū)體，來(lái)減輕對(duì)多晶硅材料的損傷。在不損傷多晶硅前提下，進(jìn)一步研究化學(xué)位阻較小的單胺基前驅(qū)體二異丙胺硅烷（DIPAS）對(duì)反應(yīng)速率的影響。 （共7頁(yè)）
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