基于硅材料MOS量子點(diǎn)單自旋量子比特的研究與實(shí)現(xiàn)

摘要： 量子計(jì)算作為未來(lái)計(jì)算技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要方向，在一些特定領(lǐng)域具有現(xiàn)代計(jì)算機(jī)無(wú)可比擬的強(qiáng)大優(yōu)勢(shì)?；诠璨牧系慕饘傺趸锇雽?dǎo)體（metal-oxide-semiconductor, MOS）量子點(diǎn)自旋量子比特由于擁有較長(zhǎng)的相干時(shí)間以及與現(xiàn)代集成電路工藝兼容等優(yōu)勢(shì)，在近些年來(lái)獲得了廣泛研究，并取得了較大發(fā)展，成為了實(shí)現(xiàn)通用量子計(jì)算重要的候選方案之一。總結(jié)了硅MOS量子點(diǎn)單自旋量子比特實(shí)... （共20頁(yè)）