二維鈣鈦礦氧化物光敏高κ電介質(zhì)

摘要： <正>數(shù)十年來(lái),芯片技術(shù)的發(fā)展推動(dòng)著芯片晶體管的尺寸持續(xù)縮小,傳統(tǒng)硅基晶體管正在接近其物理極限,晶體管尺寸的進(jìn)一步縮小伴隨著一系列重大挑戰(zhàn).二維半導(dǎo)體材料具有原子級(jí)厚度和獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì),有望避免短溝道效應(yīng),是光電子器件微型化過(guò)程中備受矚目的溝道材料^[1]. （共3頁(yè)）