VI族元素修飾對二維AlN電子性質(zhì)影響的第一性原理研究
人工晶體學(xué)報(bào)
頁數(shù): 9 2024-08-01
摘要: 采用密度泛函理論的第一性原理計(jì)算方法,研究了VI族元素(O、S、Se、Te)修飾對二維AlN電子性質(zhì)的影響。計(jì)算結(jié)果表明,O修飾后,二維AlN體系的能帶發(fā)生劈裂,從而轉(zhuǎn)變?yōu)榇判圆牧?;S、Se和Te修飾后,二維AlN電子態(tài)密度曲線自旋向上和自旋向下完全對稱,形成了非磁性結(jié)構(gòu)。從態(tài)密度圖可以看出,費(fèi)米能級附近的態(tài)密度主要由修飾原子的p態(tài)電子和N原子的p態(tài)電子貢獻(xiàn),導(dǎo)帶底部逐漸向低能... (共9頁)