砷化鎵納米結(jié)中光電響應(yīng)的第一性原理計算模擬

摘要： 作為常見的高遷移率直接帶隙半導(dǎo)體,砷化鎵(gallium arsenide, GaAs)的光電響應(yīng)性質(zhì)一直是學(xué)界研究的焦點.針對特殊結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件的光電響應(yīng)方式理論上研究一般采用宏觀有限元方法結(jié)合半經(jīng)典理論的模擬.隨著器件尺寸的小型化,微觀結(jié)構(gòu)的重要性更加凸顯.通過非平衡態(tài)格林函數(shù)結(jié)合密度泛函理論方法 (non-equilibrium Green’s function meth... （共7頁）