氫終端金剛石薄膜生長(zhǎng)及其表面結(jié)構(gòu)

摘要： 氫終端金剛石的導(dǎo)電性問(wèn)題是目前限制其在器件領(lǐng)域應(yīng)用的關(guān)鍵因素.傳統(tǒng)的氫終端金剛石制備工藝由于金剛石中含有雜質(zhì)元素以及表面的加工損傷的存在,限制了氫終端金剛石的電特性.在金剛石襯底上直接外延一層高純、表面平整的氫終端金剛石薄膜成為一種可行方案,但該方案仍存在薄膜質(zhì)量表征困難,表面粗糙度較大等問(wèn)題.本文采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),在含氮CVD金剛石襯底上外延一層亞微... （共6頁(yè)）