非摻雜型Si/SiGe異質結外延與表征

摘要： 以自旋為編碼單元的硅基半導體量子計算與傳統(tǒng)微電子工藝兼容,易拓展且可以同位素純化提高退相干時間,因而備受關注.本研究工作通過分子束外延生長了高質量非摻雜型Si/SiGe異質結并測試了二維電子氣遷移率.球差電鏡觀察到原子級尖銳界面,原子力顯微鏡表征顯示其表面均方根粗糙度僅為0.44 nm,低溫下遷移率達到20.21×10~4 cm~2·V~(–1)·s~(–1).不同柵壓下載流子... （共8頁）