電子在自旋-軌道耦合調(diào)制下磁受限半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)中的傳輸時(shí)間及其自旋極化

摘要： 通過(guò)考慮構(gòu)筑在半導(dǎo)體GaAs/Al_xGa_(1–x)As異質(zhì)結(jié)上的磁受限半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)中的塞曼效應(yīng)和自旋-軌道耦合,本文采用理論分析和數(shù)值計(jì)算相結(jié)合的方法研究了電子的傳輸時(shí)間與自旋極化.利用矩陣對(duì)角化和改進(jìn)的轉(zhuǎn)移矩陣方法,數(shù)值求解電子的薛定諤方程;采用H.G. Winful理論求電子的居留時(shí)間,并計(jì)算自旋極化率.由于塞曼效應(yīng)與自旋-軌道耦合,電子的居留時(shí)間明顯地與其自旋有關(guān),... （共8頁(yè)）