InP中點缺陷遷移機制的第一性原理計算

摘要： 磷化銦作為重要的第二代半導體材料,具有禁帶寬度大、電子遷移率高、光電轉(zhuǎn)換效率高、抗輻照性能強等優(yōu)點,是制備航天器電子器件優(yōu)良材料之一.但空間輻射粒子在磷化銦電子器件中會產(chǎn)生點缺陷,導致其電學性能發(fā)生嚴重下降.本文采用第一性原理方法對磷化銦中點缺陷的穩(wěn)態(tài)結構進行研究,并計算了最近鄰位點的缺陷遷移能.通過構建不同電荷態(tài)點缺陷的穩(wěn)態(tài)結構,發(fā)現(xiàn)了4種穩(wěn)態(tài)結構的銦間隙和3種穩(wěn)態(tài)結構磷間隙... （共9頁）