碳化硅多孔介質(zhì)內(nèi)滲硅過(guò)程的仿真研究

摘要： 對(duì)仿真熔硅在碳化硅多孔預(yù)制體內(nèi)的滲流過(guò)程進(jìn)行深入研究，不僅有助于了解反應(yīng)熔滲過(guò)程缺陷的成因，還有助于揭示特殊滲流現(xiàn)象的成因。本文基于水平集法、N-S方程、楊氏方程，在由光學(xué)顯微鏡圖像提取重構(gòu)的二維孔道內(nèi)，進(jìn)行了熔硅毛細(xì)熔滲過(guò)程的仿真，重點(diǎn)模擬了由40μm顆粒經(jīng)模壓構(gòu)成的預(yù)制體和基于顆粒級(jí)配工藝的預(yù)制體內(nèi)的熔滲過(guò)程。結(jié)果表明：入滲過(guò)程中較大的入口有利于熔滲的快速進(jìn)行，熔滲過(guò)程在同... （共14頁(yè)）