硅外延生長(zhǎng)反應(yīng)腔內(nèi)外延反應(yīng)過(guò)程的數(shù)值仿真建模及實(shí)驗(yàn)研究

摘要： 硅外延片是大規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體器件等的基礎(chǔ)功能材料，是通過(guò)外延反應(yīng)在單晶硅片上生長(zhǎng)均勻的外延薄層。外延層的厚度和電阻率的均勻性控制是硅外延生長(zhǎng)的關(guān)鍵技術(shù)難題，其生長(zhǎng)質(zhì)量受反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)與熱流場(chǎng)設(shè)計(jì)影響較大?；趩纹焦柰庋由L(zhǎng)反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)，建立了反應(yīng)腔內(nèi)氣體輸運(yùn)與外延反應(yīng)的多物理場(chǎng)仿真模型，分析了腔室結(jié)構(gòu)對(duì)熱場(chǎng)分布均勻性的影響規(guī)律。隨后通過(guò)數(shù)值仿真，研究了載氣流量、進(jìn)氣梯度... （共10頁(yè)）