基于CuI/Si單邊異質(zhì)結的微光高靈敏雙波段可切換光電探測器（英文）

摘要： 近年來,碘化銅(CuI)因其較高的本征霍爾遷移率、高光吸收和較大的激子結合能而成為一種新興的p型寬帶隙半導體。然而,在傳統(tǒng)半導體材料表面制備高質(zhì)量CuI薄膜非常困難,已有CuI基異質(zhì)結器件的光譜響應和光電轉(zhuǎn)換效率較低。本研究采用一種簡易的金屬碘化法制備了一種p-CuI/n-Si結構的光電二極管。雖然獲得的CuI是帶有明顯結構缺陷的多晶薄膜,但CuI/Si二極管具有很高的弱光靈敏... （共7頁）