考慮閾值電壓漂移的SiC MOSFET功率循環(huán)壽命修正技術(shù)

摘要： 在SiC MOSFET的功率循環(huán)測試(PCT)中，飽和壓降主要表征鍵合線的老化狀態(tài)，其值由導(dǎo)通電阻決定。SiC MOSFET的閾值電壓漂移會在導(dǎo)通電阻中引入非鍵合線老化導(dǎo)致的芯片電阻增量，進而影響壽命判斷。為了準確判定鍵合線失效，設(shè)計和搭建閾值電壓漂移在線監(jiān)測平臺，并結(jié)合實測閾值電壓漂移數(shù)據(jù)解耦出芯片電阻增量，進而對實測飽和壓降進行補償，實現(xiàn)對SiC MOSFET功率循環(huán)壽命的... （共8頁）