本征基區(qū)尺寸對雙極器件總電離劑量輻射效應(yīng)的影響

摘要： 基于標準0.18μm BCD工藝，對雙極器件總電離劑量(TID)輻射效應(yīng)進行了研究，提出了一種提高雙極器件抗總電離劑量輻射能力的方法。理論分析表明，在標準0.18μm BCD工藝中，雙極器件總電離劑量輻射的敏感區(qū)域位于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)下方、基極接觸區(qū)和發(fā)射極邊緣之間的本征基區(qū)。對不同本征基區(qū)尺寸的雙極器件進行了總電離劑量輻射實驗，研究了本征基區(qū)尺寸對雙極器件電流增益隨總電離劑量退... （共7頁）