SiC MOSFET開關(guān)瞬態(tài)解析建模綜述

摘要： 在評估和優(yōu)化半導(dǎo)體器件開關(guān)瞬態(tài)特性領(lǐng)域，解析模型因具有簡單、直觀、應(yīng)用便捷等優(yōu)點得到廣泛研究。相較同等功率等級的硅基功率器件，碳化硅(silicon carbide,SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)可以應(yīng)用于更高開關(guān)速度，其開關(guān)瞬態(tài)特性更為復(fù)雜，開關(guān)瞬態(tài)解析建... （共13頁）