氧化硅水平隧穿結(jié)電子源及其應(yīng)用

摘要： 電子源是真空電子設(shè)備的核心部件，片上微型電子源是實(shí)現(xiàn)微型化、片上化真空電子器件的關(guān)鍵和基礎(chǔ)。氧化硅水平隧穿結(jié)電子源是本課題組近幾年發(fā)展的一種新型片上微型電子源，其具有發(fā)射效率高、發(fā)射電流密度大、工作電壓低、能耐受粗真空和時(shí)間響應(yīng)快等優(yōu)點(diǎn)，展現(xiàn)出較大的應(yīng)用潛力。文章將從電子發(fā)射微觀過(guò)程及理論模型、陣列化集成以及在真空電子器件中的應(yīng)用三個(gè)方面系統(tǒng)介紹氧化硅水平隧穿結(jié)電子源，并對(duì)本課... （共12頁(yè)）