軌道交通用大功率IGBT結(jié)電容退化規(guī)律
半導(dǎo)體技術(shù)
頁數(shù)： 8 2024-12-03
摘要： 結(jié)電容作為絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)芯片重要寄生參數(shù)之一，與器件開關(guān)動(dòng)態(tài)性能密切相關(guān)。通過建立IGBT開關(guān)動(dòng)態(tài)數(shù)學(xué)模型，搭建基于IGBT器件級(jí)行為模型的雙脈沖測試仿真電路，研究了器件內(nèi)部結(jié)電容對(duì)IGBT動(dòng)態(tài)性能的影響規(guī)律和機(jī)理。進(jìn)一步地，對(duì)機(jī)車不同服役時(shí)間的IGBT樣本的結(jié)電容進(jìn)行測試分析，驗(yàn)證了仿真模型的有效性。結(jié)果表明，IGBT結(jié)電容隨服役時(shí)間增長均出現(xiàn)一定程度退化，其... （共8頁）
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