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GaInP/GaAs/Ge太陽(yáng)電池邊緣Si3N4鈍化研究

電源技術(shù) 頁(yè)數(shù)： 4 2024-12-20
摘要： GaInP/GaAs/Ge太陽(yáng)電池相比于Si基、CIGS、CdTe等材料具有更高的光電轉(zhuǎn)換效率，結(jié)構(gòu)材料具有少子壽命短、復(fù)合速率快的特點(diǎn)。電池在加工過(guò)程中邊緣側(cè)截面會(huì)產(chǎn)生大量缺陷，同時(shí)表面懸掛鍵造成態(tài)密度增加，表面光生少數(shù)載流子復(fù)合對(duì)光電轉(zhuǎn)換性能負(fù)面影響嚴(yán)重。為提升電池光電轉(zhuǎn)換性能，通過(guò)光刻、濕法刻蝕在電池邊緣制作臺(tái)階來(lái)降低缺陷密度，通過(guò)PECVD工藝在側(cè)截面上沉積Si3N_... （共4頁(yè)）

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