TFT制程中高厚度ITO殘留因素的研究

摘要： 氧化銦錫(ITO)是薄膜晶體管工藝中最常用的透明導(dǎo)電薄膜,隨著OLED技術(shù)的發(fā)展,ITO作為透明陽(yáng)極材料也被廣泛應(yīng)用。在高厚度(尤其是大于70nm)非晶ITO工藝過(guò)程中,由于多種因素的影響,很容易產(chǎn)生殘留,發(fā)生殘留后會(huì)嚴(yán)重影響產(chǎn)品質(zhì)量和項(xiàng)目進(jìn)度。本文通過(guò)多次實(shí)驗(yàn)測(cè)試,綜合多種不同厚度,尤其是針對(duì)高厚度非晶ITO,分析了TFT制程中影響殘留的多種因素,考察重點(diǎn)因素及影響規(guī)律,有效地修正工藝條件,為之后的項(xiàng)目和生產(chǎn)過(guò)程提供了很好的參考價(jià)值。 （共7頁(yè)）