錐形半導體激光芯片的光刻工藝研究

摘要： 針對錐形半導體激光器中的脊形波導區(qū)寬度較小的問題,對半導體激光芯片制造中的刻蝕標記及刻蝕方法進行了研究。提出對于錐形半導體刻蝕中的脊型區(qū)域和錐形區(qū)域,采用不同精度的雙標記刻蝕方法,細化對脊形波導和錐形波導的刻蝕中的對準問題,并使光刻標在不同的光刻版上相錯位排列,在相應(yīng)光刻版中相互遮擋,反復刻蝕中保證相應(yīng)的光刻標清晰、完整?？涛g后的芯片在電流為7 A時獲得了中心波長963nm、連續(xù)功率4.026 W、慢軸方向和快軸方向激光光束參數(shù)乘積分別為1.593 mm·mrad和0.668 mm·mrad的激光輸出。 （共5頁）