808nm半導(dǎo)體激光芯片電光轉(zhuǎn)換效率的溫度特性機(jī)理研究

摘要： 提高808 nm大功率半導(dǎo)體激光器電光轉(zhuǎn)換效率具有重要的學(xué)術(shù)意義和商業(yè)價(jià)值,是實(shí)現(xiàn)器件小型化、輕量化、高可靠性的必要前提.本文以腔長1.5 mm的傳導(dǎo)冷卻封裝808 nm半導(dǎo)體激光陣列為研究對(duì)象,在熱沉溫度-40—25?C范圍內(nèi)對(duì)其進(jìn)行光電特性測試,對(duì)不同溫度下電光轉(zhuǎn)換效率的影響因子進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究和理論分析.結(jié)果表明:在-40?C環(huán)境溫度下,最高電光轉(zhuǎn)換效率從室溫25?C時(shí)的56.7%提高至66.8%,內(nèi)量子效率高達(dá)96.3%,載流子泄漏損耗的占比貢獻(xiàn)由16.6%下降至3.1%.該研究對(duì)實(shí)現(xiàn)808 nm高效率半導(dǎo)體激光芯片的自主研發(fā)具有重要意義. （共6頁）