808nm準連續(xù)600W高功率半導體激光芯片研制

摘要： 通過設計極低損耗808nm半導體激光芯片外延結構,實現(xiàn)腔內損耗小于0.5cm~(-1)。采用該高效率外延結構研制出高峰值功率808nm巴條芯片,巴條的填充因子為85%,包含60個發(fā)光點,發(fā)光區(qū)寬度為140μm,腔長為2mm。在驅動電流為500A,脈沖寬度為200μs,重復頻率為400 Hz,占空比為8%的工作條件下,該芯片的準連續(xù)(QCW)峰值輸出功率為613 W,斜率效率達1.34 W/A,峰值波長為807.46nm,光譜半峰全寬為2.88nm。任意選取5只芯片,在準連續(xù)300 W(占空比8%)條件下進行了壽命驗證,芯片壽命達到3.63×109 shot,定功率300W下電流變化小于10%,達到商業(yè)化水平。 （共6頁）