高性能976 nm寬條半導(dǎo)體激光芯片

摘要： 設(shè)計(jì)并制作了波長為976nm的寬條大功率半導(dǎo)體激光芯片。采用非對稱寬波導(dǎo)外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延技術(shù)生長了低損耗、高效率的外延材料。制備了190μm發(fā)光區(qū)寬度、4mm腔長、976nm波長的半導(dǎo)體激光芯片,并將其封裝為COS器件。測試結(jié)果表明:封裝器件在室溫下的閾值電流為1.05 A,斜率效率為1.12 W/A,最高電光轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到68.5%;在40℃、19.5 W功率輸出時(shí)的電光轉(zhuǎn)換效率可以達(dá)到60%;9個(gè)器件在40℃和15A電流下老化4740h后,無一失效,而且老化前后的功率-電流曲線和光譜沒有變化,證明該激光芯片具極高的穩(wěn)定性和可靠性。 （共5頁）