用半導體材料制成的將射線能量轉換成電信號的射線探測器。它實質上是在一塊半導體材料上設置一個陰極(高摻雜的P+層)和一個陽極(高摻雜的N+層)構成的較大體積的晶體二極管(約0.01~200cm3)。入射粒子進入半導體探測器后...[繼續(xù)閱讀]
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用半導體材料制成的將射線能量轉換成電信號的射線探測器。它實質上是在一塊半導體材料上設置一個陰極(高摻雜的P+層)和一個陽極(高摻雜的N+層)構成的較大體積的晶體二極管(約0.01~200cm3)。入射粒子進入半導體探測器后...[繼續(xù)閱讀]
典型的半導體主要是由共價鍵結合的晶體。如硅、鍺的晶體具有金剛石結構(圖1),Ⅲ-Ⅴ化合物以及一些Ⅲ-Ⅵ化合物具有閃鋅礦結構(圖2)或纖鋅礦結構(圖3)。這些都是最典型的共價鍵結合的晶體結構,其中每個原子由四個共...[繼續(xù)閱讀]
在強電場作用下,半導體中載流子的平均動能顯著超過熱平衡載流子的平均動能。這種被顯著加熱了的載流子稱為熱載流子。有關現(xiàn)象通常稱熱電子現(xiàn)象?! ≡陔妶鲋校d流子一方面從電場獲得能量,另一方面通過碰撞把所獲得...[繼續(xù)閱讀]
隧道效應──微觀粒子能透入按經(jīng)典力學規(guī)律它不可能進入的勢壘區(qū),是反映微觀粒子的波動性的一種基本效應。可以把半導體(或絕緣體)中的電子遷移現(xiàn)象理解為在外電場下,束縛在一個原子中的電子,通過隧道穿透勢壘,到...[繼續(xù)閱讀]
在強電場下,半導體中的載流子會被電場加熱(見半導體中的熱載流子),部分載流子可以獲得足夠高的能量,這些載流子有可能通過碰撞把能量傳遞給價帶上的電子,使之發(fā)生電離,從而產(chǎn)生電子-空穴對,這種過程稱為碰撞電離。...[繼續(xù)閱讀]
見半導體物理學。...[繼續(xù)閱讀]
半金屬這個名詞起源于中世紀的歐洲,用來稱呼鉍,因為它缺少正常金屬的延展性,只算得上"半"金屬。目前則指導電電子濃度遠低于正常金屬的一類金屬。正常金屬的載流子濃度都在1022厘米-3以上。而半金屬的載流子濃度在1022~...[繼續(xù)閱讀]
見物體的振動。...[繼續(xù)閱讀]
見固體中的彈性波。...[繼續(xù)閱讀]
使質點M從位置M1移動到M2的過程中所做的功W同運動的路徑無關的作用力。重力、彈性力、引力、靜電力等都是保守力。 設力F在直角坐標系Oxyz(見圖)的各坐標軸上的投影分別為X、Y、Z,而質點的元位移dr的投影分別為dx、dy、...[繼續(xù)閱讀]