1991年,日亞公司研制成功同質(zhì)結(jié)GaN基藍光LED,峰值波長430nm,光譜半寬55rim,其光輸出功率為當(dāng)時市場上SiC LED的10倍,外量子效率約為0.18%。
1995年,日亞公司,又研制成功InGaN/AIGaN雙異質(zhì)結(jié)的燭光級超高亮度藍色LED,在20mA的正向電流下,輸出功率為1.5mW,外量子效率為2.7%,波長和半寬分別為450nm和70rim。
1997年,Schlotter等人和Nakamura等人先后發(fā)明了用藍光管芯加黃光熒光粉封裝成白光LED。
2001年,Kafmann等人,用UV LED激發(fā)三基色熒光粉得到白光LED。過去的幾年中,白光LED引起了LED產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的廣泛重視。
2006年,Cree公司,宣布推出一款新的冷白光LED—“XP.G”,發(fā)光效率和亮度都創(chuàng)下新的記錄,其在驅(qū)動電流為350mA時,光通量達1391m,光效為1321m/W,亮度和光效分別比Cree最亮的XR.E LED提高37%和53%,被稱之為“業(yè)界最亮且具有最高效率的照明級LEDt211”。
2007年,日亞公司,發(fā)布了其新型LED,該實驗型產(chǎn)品在順向電流為350mA的條件下,光通量可達1451m,發(fā)光效率約為1341m/W,芯片的大小為lmm2,色溫為4988K(在Ir=20mA的情況下,發(fā)光效率更高達169 lm/W)。近兩年,日亞公司生產(chǎn)的GaN基LED,無論是藍光、紫光、紫外還是白光LED均為國際上最高水平,其中460nm的藍光LED的外量子效率可以達到34.9%。
2007年,美國的Cree公司,在SiC襯底上生長雙異質(zhì)結(jié),制作的器件同樣很出色,SiC襯底可以把Gabl基LED的金屬電極制造在襯底的底部,電流能夠通過低阻導(dǎo)電襯底的垂直流動,也為發(fā)展其它光電子器件奠定了基礎(chǔ)。此公司在SiC上生長GaN基LED無論是小尺寸芯片藍光LED和紫光LED還是大尺寸藍光LED和紫光LED均屬國際頂級水平。
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