
 4.4.2.1 析晶時(shí)間設(shè)定在設(shè)定析晶時(shí)間時(shí),以析晶溫度970℃為前提條件,研究析晶時(shí)間對(duì)微晶玻璃析晶行為及性能的影響,析晶時(shí)間分別取30min、90min、180min、240min、300min、360 min,具體析晶工藝路線如圖4.20所示。圖4.20 析晶工藝路線圖4.4.2 (共 938 字) [閱讀本文] >>
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 4.4.2.1 析晶時(shí)間設(shè)定在設(shè)定析晶時(shí)間時(shí),以析晶溫度970℃為前提條件,研究析晶時(shí)間對(duì)微晶玻璃析晶行為及性能的影響,析晶時(shí)間分別取30min、90min、180min、240min、300min、360 min,具體析晶工藝路線如圖4.20所示。圖4.20 析晶工藝路線圖4.4.2 (共 938 字) [閱讀本文] >>